IPP65R225C7XKSA1

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	IPP65R225C7XKSA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	IPP65R225C7XKSA1 PDF

Saatavuus

Varastossa	208 186
Yksikköhinta	$ 2.78000

IPP65R225C7XKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPP65R225C7XKSA1 Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	CoolMOS™ C7
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	225mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 240µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	996 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	63W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO220-3
paketti/laukku:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.