RFD3055LE

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	RFD3055LE
Valmistaja	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kuvaus	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	RFD3055LE PDF

Saatavuus

Varastossa	24 927 200
Yksikköhinta	$ 0.84000

RFD3055LE Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RFD3055LE Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	60 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	107mOhm @ 8A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	11.3 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	350 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	38W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	I-PAK
paketti/laukku:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.