GA10JT12-263

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	GA10JT12-263
Valmistaja	GeneSiC Semiconductor
Kuvaus	TRANS SJT 1200V 25A
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	GA10JT12-263 PDF

Saatavuus

Varastossa	170
Yksikköhinta	$ 20.74000

GA10JT12-263 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

GA10JT12-263 Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	-
teknologiaa:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	1200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	25A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	-
rds päällä (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 10A
vgs(th) (max) @ id:	-
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1403 pF @ 800 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	170W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	-
paketti/laukku:	-

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.