TP65H070LDG

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	TP65H070LDG
Valmistaja	Transphorm
Kuvaus	GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Saatavuus

Varastossa	673
Yksikköhinta	$ 12.98000

TP65H070LDG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TP65H070LDG Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	TP65H070L
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	25A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.8V @ 700µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	9.3 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	600 pF @ 400 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	96W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	3-PQFN (8x8)
paketti/laukku:	3-PowerDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.