SCTH40N120G2V7AG

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	SCTH40N120G2V7AG
Valmistaja	STMicroelectronics
Kuvaus	SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	SCTH40N120G2V7AG PDF

Saatavuus

Varastossa	208 324
Yksikköhinta	$ 17.67000

SCTH40N120G2V7AG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCTH40N120G2V7AG Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	Automotive, AEC-Q101
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	33A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	18V
rds päällä (max) @ id, vgs:	105mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	63 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -10V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1230 pF @ 800 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	250W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	H2PAK-7
paketti/laukku:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.