FDP12N50NZ

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	FDP12N50NZ
Valmistaja	Rochester Electronics
Kuvaus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	FDP12N50NZ PDF

Saatavuus

Varastossa	13 600
Yksikköhinta	$ 0.69000

FDP12N50NZ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FDP12N50NZ Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	*
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	500 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	11.5A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	520mOhm @ 5.75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1.235 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	170W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220-3
paketti/laukku:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.