SIR606BDP-T1-RE3

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	SIR606BDP-T1-RE3
Valmistaja	Vishay / Siliconix
Kuvaus	MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	SIR606BDP-T1-RE3 PDF

Saatavuus

Varastossa	1 890
Yksikköhinta	$ 1.52000

SIR606BDP-T1-RE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIR606BDP-T1-RE3 Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	TrenchFET® Gen IV
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	100 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	7.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	17.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	1470 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	5W (Ta), 62.5W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PowerPAK® SO-8
paketti/laukku:	PowerPAK® SO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.