RM8N650LD

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	RM8N650LD
Valmistaja	Rectron USA
Kuvaus	MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO252-2
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Saatavuus

Varastossa	186 929
Yksikköhinta	$ 0.52000

RM8N650LD Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RM8N650LD Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	8A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	540mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	680 pF @ 50 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	80W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252-2
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.