IRFB31N20DPBF

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	IRFB31N20DPBF
Valmistaja	Rochester Electronics
Kuvaus	IRFB31N20 - N-CHANNEL POWER MOS
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	IRFB31N20DPBF PDF

Saatavuus

Varastossa	2 131
Yksikköhinta	$ 0.92000

IRFB31N20DPBF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IRFB31N20DPBF Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	HEXFET®
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	200 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	31A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	82mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	107 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	2.37 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	3.1W (Ta), 200W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-220AB
paketti/laukku:	TO-220-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.