IPI65R660CFDXKSA1

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	IPI65R660CFDXKSA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kuvaus	MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	IPI65R660CFDXKSA1 PDF

Saatavuus

Varastossa	15 500
Yksikköhinta	$ 0.65000

IPI65R660CFDXKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPI65R660CFDXKSA1 Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	CoolMOS™
paketti:	Tube
osan tila:	Obsolete
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	6A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 200µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	615 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	62.5W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	PG-TO262-3
paketti/laukku:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.