IPB049N08N5ATMA1

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	IPB049N08N5ATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kuvaus	MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	IPB049N08N5ATMA1 PDF

Saatavuus

Varastossa	928
Yksikköhinta	$ 2.63000

IPB049N08N5ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPB049N08N5ATMA1 Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	80 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	80A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	6V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 66µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	3770 pF @ 40 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	125W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	D²PAK (TO-263AB)
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.