RQ3E180AJTB

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	RQ3E180AJTB
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	RQ3E180AJTB PDF

Saatavuus

Varastossa	3 000
Yksikköhinta	$ 1.05000

RQ3E180AJTB Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RQ3E180AJTB Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	-
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	18A (Ta), 30A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	2.5V, 4.5V
rds päällä (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 11mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	39 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4290 pF @ 15 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	2W (Ta), 30W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	8-HSMT (3.2x3)
paketti/laukku:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.