TK39J60W,S1VQ

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	TK39J60W,S1VQ
Valmistaja	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kuvaus	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	TK39J60W,S1VQ PDF

Saatavuus

Varastossa	266 449
Yksikköhinta	$ 10.21000

TK39J60W,S1VQ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TK39J60W,S1VQ Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	DTMOSIV
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	38.8A (Ta)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 1.9mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 300 V
fet-ominaisuus:	Super Junction
tehohäviö (max):	270W (Tc)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-3P(N)
paketti/laukku:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.