IPB80N03S4L03ATMA1

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	IPB80N03S4L03ATMA1
Valmistaja	IR (Infineon Technologies)
Kuvaus	MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	IPB80N03S4L03ATMA1 PDF

Saatavuus

Varastossa	496
Yksikköhinta	$ 1.61000

IPB80N03S4L03ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPB80N03S4L03ATMA1 Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	OptiMOS™
paketti:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	30 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	80A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	4.5V, 10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 45µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	5100 pF @ 25 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	94W (Tc)
Käyttölämpötila:	-55°C ~ 175°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	PG-TO263-3-2
paketti/laukku:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.