SCT3060ALGC11

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	SCT3060ALGC11
Valmistaja	ROHM Semiconductor
Kuvaus	SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	SCT3060ALGC11 PDF

Saatavuus

Varastossa	335
Yksikköhinta	$ 12.38000

SCT3060ALGC11 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCT3060ALGC11 Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	-
paketti:	Tube
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	SiCFET (Silicon Carbide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	650 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	39A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	18V
rds päällä (max) @ id, vgs:	78mOhm @ 13A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 6.67mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	58 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -4V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	852 pF @ 500 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	165W (Tc)
Käyttölämpötila:	175°C (TJ)
asennustyyppi:	Through Hole
toimittajan laitepaketti:	TO-247N
paketti/laukku:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.