IPD60R600E6ATMA1

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	IPD60R600E6ATMA1
Valmistaja	Rochester Electronics
Kuvaus	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - yksittäiset
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	IPD60R600E6ATMA1 PDF

Saatavuus

Varastossa	8 488
Yksikköhinta	$ 0.52000

IPD60R600E6ATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPD60R600E6ATMA1 Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	CoolMOS™ E6
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	N-Channel
teknologiaa:	MOSFET (Metal Oxide)
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	600 V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	7.3A (Tc)
käyttöjännite (max rds päällä, min rds päällä):	10V
rds päällä (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 200µA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	20.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
fet-ominaisuus:	-
tehohäviö (max):	63W (Tc)
Käyttölämpötila:	-
asennustyyppi:	Surface Mount
toimittajan laitepaketti:	TO-252
paketti/laukku:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.