EFC6602R-TR

Kuva on viitteellinen, ota yhteyttä saadaksesi oikean kuvan

Valmistajan osa	EFC6602R-TR
Valmistaja	Rochester Electronics
Kuvaus	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Kategoria	erilliset puolijohdetuotteet
Perhe	transistorit - fetit, mosfetit - taulukot
Elinkaari:	New from this manufacturer.
Toimitus:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Maksu	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
DataSheet	EFC6602R-TR PDF

Saatavuus

Varastossa	130 439
Yksikköhinta	$ 0.23000

EFC6602R-TR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EFC6602R-TR Tekniset tiedot

Tyyppi	Kuvaus
sarja:	-
paketti:	Bulk
osan tila:	Active
fet tyyppi:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
fet-ominaisuus:	Logic Level Gate, 2.5V Drive
tyhjennys lähdejännitteeseen (vdss):	12V
virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°c:	18A (Ta)
rds päällä (max) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 1mA
portin lataus (qg) (max) @ vgs:	55nC @ 4.5V
tulokapasitanssi (ciss) (max) @ vds:	-
teho - max:	2W (Ta)
Käyttölämpötila:	150°C (TJ)
asennustyyppi:	Surface Mount
paketti/laukku:	6-XFBGA, WLCSP
toimittajan laitepaketti:	6-WLCSP (1.81x2.7)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.